在現(xiàn)已開發(fā)的寬禁帶半導(dǎo)體中，碳化硅晶圓（SiC）半導(dǎo)體材料是研究最為成熟的一種。SiC半導(dǎo)體材料由于具有寬禁帶、高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高飽和電子遷移率以及更小的體積等特點(diǎn)，在高溫、高頻、大功率、光電子以及抗輻射器件等方面具有巨大的應(yīng)用潛力。

碳化硅的應(yīng)用范圍十分廣泛：由于具有寬禁帶的特點(diǎn)，它可以用來制作藍(lán)色發(fā)光二極管或幾乎不受太陽光影響的紫外線探測(cè)器；由于可以耐受的電壓或電場八倍于硅或砷化鎵，特別適用于制造高壓大功率器件如高壓二極管、功率三極管以及大功率微波器件。

由于具有高飽和電子遷移速度，可制成各種高頻器件(射頻及微波)；碳化硅是熱的良導(dǎo)體, 導(dǎo)熱特性優(yōu)于任何其它半導(dǎo)體材料，這使得碳化硅器件可在高溫下正常工作。目前硅晶圓銷售這塊還是非常熱門的，所以市場還是非常不錯(cuò)的。